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 請問紅外線偵測器

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T O P I C    R E V I E W
ASMP Posted - 06/23/2008 : 16:11:50
小弟在95年12月28日 第97期的中央研究院電子報上看到一種紅外線偵測器,以下節錄其部分內容:
http://newsletter.sinica.edu.tw/index.php?lid=103
http://newsletter.sinica.edu.tw/file/file/9/993.pdf
量子點紅外線偵測器及量子點紅外線偵測器陣列

而在量子點紅外線偵測器陣列的製作上,我們透過與中山科學院的合作,製作出世界第一顆以分子束
磊晶技術製作且能操作在135 K的高溫下之256X256量子點紅外線偵測器陣列,並成功的顯像[5]。此元
件最重要的特性是此元件並無額外的光柵導光機制,相較於其他各國的量子點紅外線偵測器陣列(InP-
based QDIP, dot-in-well infrared photodetector),我們在具有高應力之InAs/GaAs量子點結構
中,成功的克服晶片均勻度、操作偏壓、光柵結構的製作及暗電流的限制,製作出之可操作在135 K
之量子點紅外線偵測器陣列更具有技術實用化的意義如Fig. 2所示。而此偵測器陣列的成功,除了歸
因於我們在分子束磊晶技術方面的努力外,在元件結構方面的努力對於此偵測器陣列的成功更有直接
的影響。我們最新的成果中,已將量子點紅外線偵測器陣列由中波段(3-5 mm)推廣至雙波段(3-5 and
8-12 mm),現正收集資料準備投稿中,相信在團隊共同的努力下,預計在可見的未來,單一元件雙波
段、高溫操作之量子點紅外線偵測器陣列便可進入實用的階段。

另外小弟也節錄技術尖兵雜誌第136期95年04月號的部分內容:

身為中科院奈米計畫負責人吳文海博士,對於奈米技術的研發有著濃厚熱情與使命感。他表示,中科
院以相當基礎的國防能量,投入奈米技術研發的目的,不僅是應用於國防科技,更期望能積極支援產
業,協助產業升級與創新。

吳博士表示,中科院研發之奈米技術在許多技術領域已居國際領先地位,如:焦平面陣列奈米紅外線
影像器,在科專計畫之執行下已成為美國之外,第一個成功完成量子點影像器顯像之國家,亦為全世
界第三個完成顯像之技術團隊。焦平面陣列奈米紅外線影像器是建構在中科院國防熱影像尋標器的基
礎上,藉由科專計畫研發之量子點結構設計專利技術,元件絕緣披覆膜專利技術,有效降低結構層缺
陷密度及本質暗電流,使中科院開發之焦平面陣列奈米紅外線影像器,躍居此領域世界最高之陣列操
作溫度,而具有降低熱像系統雜訊、提升熱像品質、減低熱像系統耗能等優點,可協助產業在防SARS
超溫警示熱像系統、夜視系統、製程良率檢測系統、環境污染監視系統、火災監視系統等升級創新。

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以上兩篇文章是介紹同一種紅外線偵測器,小弟有疑問的是:
1.在中研院電子報的PDF檔內,有一張在不同溫度下該偵測器的表現,那個T-135K中的K是何意思?是溫
度的單位嗎?
2.文中提到該偵測器在高溫下有較佳的表現,這是否表示在高速防空飛彈或超音速艦飛彈有其運用空
間?




1   L A T E S T    R E P L I E S    (Newest First)
dasha Posted - 06/23/2008 : 16:38:42
K就是絕對溫度,以攝氏零下273.15度為零度,與攝氏等同的溫度系統.
高溫下有比較好的表現,是說可以不用費勁去冷卻就能產生相同的效果.

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