美國近年全力圍堵大陸獲取先進科技,全面防堵實體晶片與雲端租借漏洞,為了保護國家安全與避免地緣政治風險, 美國商務部工業安全局(BIS)曾於2023年11月17日發布暫行最終規則(Interim Final Rule,IFR),擴大對高性能運算晶片的出口管制, 將多項硬體納入出口管制分類編碼(Export Control Classification Number,ECCN)3A090與4A090的列管範圍,雖然美國先前限制輝達(NVIDIA)將A800、H800及L40S等晶片出口到大陸, 但大陸企業隨即轉向租用雲端服務的方式,遠端繞過晶片出口禁令,直接實現在海外進行AI模型訓練的漏洞
為了徹底封鎖這個雲端破口,美國政府的管制力道從晶片硬體一路延伸到雲端架構與跨境股權追蹤,美國商務部長雷蒙多(Gina Raimondo)先前提出認識你的客戶(Know Your Customer,KYC)法規, 要求美國雲端運算業者必須徹查是否有外國實體利用美國資料中心來訓練AI模型,此外,針對許多大陸企業透過海外子公司規避管制的行為,美國BIS在2026年5月31日發表正式指南, 重申對大陸等受管轄國家(Country Group D:5)及澳門的管制依然全面有效,指南明確規範,只要企業的最終母公司(Ultimate Parent Company)總部設立在上述受管轄區域, 無論該子公司實際位於新加坡、馬來西亞或阿拉伯聯合大公國等任何第三國,在獲取受管制的先進運算項目時,一律必須向美方申請出口許可證
這項核心技術突破主要在於改變記憶胞(Memory Cell)的物理排列,傳統的主流設計是6F²架構(6F-squared DRAM Architecture), 而長鑫存儲宣稱掌握下世代的4F²架構(4F-squared DRAM Architecture),透過垂直環繞閘極(Vertical Surrounding Gate,VSG)的電晶體堆疊方式,成功克服製程微縮時常見的漏電問題, 在相同電路線寬的設計規則下,4F²架構能將晶片內部的記憶胞面積直接縮減大約33%,這意味著在同一片晶圓上,能切出更多顆晶片,理論上可望大幅提升晶圓密度並降低生產成本
大陸政府為了落實大陸製造2025(Made in China 2025)計畫,曾砸下巨額補貼企圖拉高半導體自給率,然而,這種由國家主導、低利貸款的推土機式政策已被證實遭遇重大挫敗, 根據半導體分析機構的產業內幕報告,大陸半導體產業在盲目擴張後,因缺乏實質獲利能力,已進入嚴重的失敗淘汰期(failure phase),光是在2026年, 大陸就有1.1萬家晶片相關企業宣告註銷倒閉,近期包含上海武聖半導體破產在內,更有23家晶片企業被迫撤回首次公開募股(IPO)的申請,這顯示出盲目灌注補貼的策略只催生出大量空殼公司, 隨後便引發慘烈的破產淘汰潮