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 半導體產業/電子科技(3)		  發表新標題  回覆本標題
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skyflyer
路人甲乙丙

Christmas Island
3646 Posts
Posted - 10/30/2026 :  21:21:46  會員資料 Send skyflyer a Private Message  引言回覆
duvi光刻工艺和gaa不冲突，在euv难以就位前先做gaa是合理的。
主要是做出100比1的蚀刻机和配套薄膜沉积设备比做euv容易的多。28年可望就位。正好衔接smic的n+4工艺。euv则很难说什么时候能够上线。
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WingStar
路人甲乙丙

Taiwan
4560 Posts
Posted - 10/30/2026 :  22:12:57  會員資料 Send WingStar a Private Message  引言回覆
https://www.reportprime.com/euv-photomask-substrate-r3132
https://www.linkedin.com/pulse/multi-beam-mask-writer-market-trend-analysis-reveals-rapid-cqlrf
https://www.linkedin.com/pulse/photo-mask-inspection-equipment-market-analysis-from-2026-zprve
https://www.reportprime.com/euv-photomask-substrate-r3132
https://www.hoya.com/ir/2025/en/review/it.html

大陸在半導體光罩(Photomask，台灣通稱光罩)硬體領域的自主替代正面臨嚴峻挑戰，其尖端光罩基板材料與高階製造、檢測設備，正陷於全球供應鏈結構性斷裂的困境，
隨著美、日、荷三國對先進半導體製程的聯合制裁與出口管制，大陸高端光罩產業在缺乏國際分工的孤島體制下，因缺乏核心組件、驗證數據與技術支援，
導致本土光罩製造硬體設備的量產良率目前僅在60%至70%之間掙扎，遠落後於國際廠商95%以上的成熟水準

在核心材料技術上，歐美日聯合管制直接鎖喉高階光罩基板(Mask Blank)的供應網，製造尖端光罩的母版，
其結構是由40對交替沉積、厚度僅有幾nm的鉬矽多層膜(Mo/Si Multilayer)與釕(Ru)保護層構成的布拉格反射結構，根據市場權威報告EUV Photomask Substrate數據分析，
在全球高端光罩基板市場中，日本旭硝子(AGC Inc.)與豪雅(HOYA Corporation)兩大廠商牢牢掌握93%的絕對市佔率，依據HOYA 2025財務報告與Dataintelo的歐美日產能追蹤，
高精度光罩基板在全晶片範圍內允許的厚度波動已嚴格限制在小於0.01nm，且表面均方根粗糙度必須小於一個原子直徑，大陸本土材料廠因缺乏高階離子束濺鍍沉積(IBSD)機台以及原子級平整度控制工藝，
薄膜反射率無法達到65%的量產低標，在核心材料端便被阻斷邁向14nm以下高階光罩的通路

在製造與瑕疵檢測設備層面，歐美日技術同盟更是對大陸實施精確的硬體禁售，要定義出先進製程的複雜光罩圖案，必須仰賴多束電子束光罩寫入機(Multi-beam Mask Writer)，
此設備全球市場被IMS Nanofabrication(由Intel、台積電共同持股)與日本NuFlare Technology兩家廠商寡占，
根據Dataintelo近期研究，NuFlare憑藉MBM系列寫入機在2026年財報中拉升電子束設備營收至1380億日圓，顯示出全球尖端光罩製造高度向其傾斜，
更致命的是，在光罩瑕疵檢測設備(Mask Inspection Equipment)領域，根據Yahoo Finance轉載的2026市場預測報告，
檢測14nm以下高階光罩、具有相位移遮罩(Phase Shift Mask)量測能力的Actinic同波長光學檢測系統，全面被美商科磊(KLA Corporation)與日本Lasertec壟斷，
大陸在核心光學物鏡、工件台等高階BOM清單完全進口無門的情況下，因無法檢測與修復光罩內部的深層隱形缺陷，導致尖端硬體開發陷入死胡同

這種光罩硬體與材料的結構性代差，直接引發大陸半導體在7nm量產實務上的嚴重成本拖累，以7nm製程為基準，由於缺乏EUV光罩硬體支援，
大陸晶圓廠被迫改用深紫外光多重曝光(Immersion DUV Multi-patterning)方案，這導致光罩層數(Mask Layers)從EUV單次曝光的50至60層暴增至DUV的70至80層(其中高難度DUV光罩佔30層以上)，
雖然在初始購置成本上，單片DUV光罩(約6萬至8萬美元)遠低於由40對鉬矽多層膜組成的EUV專用光罩(單片25萬至35萬美元)，但DUV多重曝光因製程步驟過於繁複，
會導致綜合晶圓良率(Wafer Yield)在35%至45%之間低迷掙扎，數據顯示，在每月產能5萬片以上的規模化量產時，EUV方案雖然需要投入3萬美元的碳化矽(SiC)光罩護膜(Pellicle)等高額消耗品，
但憑藉著高良率與縮短20%至30%的生產週期，在每片合格晶圓的綜合成本上，反而比大陸被迫使用的DUV多重曝光方案節省15%至20%的支出
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以版上大陸人的半導體知識水準，絕對看不懂這系列的內容在講甚麼
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skyflyer
路人甲乙丙

Christmas Island
3646 Posts
Posted - 10/30/2026 :  23:14:55  會員資料 Send skyflyer a Private Message  引言回覆
你根本不懂芯片产业模式。
至于四重自对准曝光的saqp良率35到45这种笑话就不要拿出来了。但凡看看林本坚的发言和tsmc用saqp的7nm的良率呢？看看outel用saqp做的intel7呢？哪个台积电和intel技术高管说过saqp良率四成。各种媒体文盲胡赖赖你也信。
国产7nm和后续的5nm的saqp比euv贵一点，虽然掩膜用的多，但是euv高昂的价格、功耗、维护费用在那里摆着。
然后华为比起安卓厂商买高通的高毛利产品反而是便宜的。
以高通来说，毛利率是七成，也就是说晶圆制造成本只有三成。三成的制造成本里贵百分之十到十五算毛线约百分之五算个毛线。还不够安卓厂商给高通交的通信专利费--高通可是按照整机价格来收百分之二到百分之四的通信专利费。
然后海思可以接受低一点的毛利比如百分之五十卖给余大嘴--又不是美股上市每个季度的财报都要撑的好看。最后华为手机终端拿到的soc，比小米之流需要给高通上供的要便宜。这就是今年华为用畅享之类手机和安卓打价格战连连获胜的底气。
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