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半導體產業/電子科技(3)

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skyflyer
路人甲乙丙

Christmas Island
3647 Posts

Posted - 10/30/2026 : 21:21:46

duvi光刻工艺和gaa不冲突，在euv难以就位前先做gaa是合理的。
主要是做出100比1的蚀刻机和配套薄膜沉积设备比做euv容易的多。28年可望就位。正好衔接smic的n+4工艺。euv则很难说什么时候能够上线。

WingStar
路人甲乙丙

Taiwan
4570 Posts

Posted - 10/30/2026 : 22:12:57

https://www.reportprime.com/euv-photomask-substrate-r3132
https://www.linkedin.com/pulse/multi-beam-mask-writer-market-trend-analysis-reveals-rapid-cqlrf
https://www.linkedin.com/pulse/photo-mask-inspection-equipment-market-analysis-from-2026-zprve
https://www.reportprime.com/euv-photomask-substrate-r3132
https://www.hoya.com/ir/2025/en/review/it.html

大陸在半導體光罩(Photomask，台灣通稱光罩)硬體領域的自主替代正面臨嚴峻挑戰，其尖端光罩基板材料與高階製造、檢測設備，正陷於全球供應鏈結構性斷裂的困境，
隨著美、日、荷三國對先進半導體製程的聯合制裁與出口管制，大陸高端光罩產業在缺乏國際分工的孤島體制下，因缺乏核心組件、驗證數據與技術支援，
導致本土光罩製造硬體設備的量產良率目前僅在60%至70%之間掙扎，遠落後於國際廠商95%以上的成熟水準

在核心材料技術上，歐美日聯合管制直接鎖喉高階光罩基板(Mask Blank)的供應網，製造尖端光罩的母版，
其結構是由40對交替沉積、厚度僅有幾nm的鉬矽多層膜(Mo/Si Multilayer)與釕(Ru)保護層構成的布拉格反射結構，根據市場權威報告EUV Photomask Substrate數據分析，
在全球高端光罩基板市場中，日本旭硝子(AGC Inc.)與豪雅(HOYA Corporation)兩大廠商牢牢掌握93%的絕對市佔率，依據HOYA 2025財務報告與Dataintelo的歐美日產能追蹤，
高精度光罩基板在全晶片範圍內允許的厚度波動已嚴格限制在小於0.01nm，且表面均方根粗糙度必須小於一個原子直徑，大陸本土材料廠因缺乏高階離子束濺鍍沉積(IBSD)機台以及原子級平整度控制工藝，
薄膜反射率無法達到65%的量產低標，在核心材料端便被阻斷邁向14nm以下高階光罩的通路

在製造與瑕疵檢測設備層面，歐美日技術同盟更是對大陸實施精確的硬體禁售，要定義出先進製程的複雜光罩圖案，必須仰賴多束電子束光罩寫入機(Multi-beam Mask Writer)，
此設備全球市場被IMS Nanofabrication(由Intel、台積電共同持股)與日本NuFlare Technology兩家廠商寡占，
根據Dataintelo近期研究，NuFlare憑藉MBM系列寫入機在2026年財報中拉升電子束設備營收至1380億日圓，顯示出全球尖端光罩製造高度向其傾斜，
更致命的是，在光罩瑕疵檢測設備(Mask Inspection Equipment)領域，根據Yahoo Finance轉載的2026市場預測報告，
檢測14nm以下高階光罩、具有相位移遮罩(Phase Shift Mask)量測能力的Actinic同波長光學檢測系統，全面被美商科磊(KLA Corporation)與日本Lasertec壟斷，
大陸在核心光學物鏡、工件台等高階BOM清單完全進口無門的情況下，因無法檢測與修復光罩內部的深層隱形缺陷，導致尖端硬體開發陷入死胡同

這種光罩硬體與材料的結構性代差，直接引發大陸半導體在7nm量產實務上的嚴重成本拖累，以7nm製程為基準，由於缺乏EUV光罩硬體支援，
大陸晶圓廠被迫改用深紫外光多重曝光(Immersion DUV Multi-patterning)方案，這導致光罩層數(Mask Layers)從EUV單次曝光的50至60層暴增至DUV的70至80層(其中高難度DUV光罩佔30層以上)，
雖然在初始購置成本上，單片DUV光罩(約6萬至8萬美元)遠低於由40對鉬矽多層膜組成的EUV專用光罩(單片25萬至35萬美元)，但DUV多重曝光因製程步驟過於繁複，
會導致綜合晶圓良率(Wafer Yield)在35%至45%之間低迷掙扎，數據顯示，在每月產能5萬片以上的規模化量產時，EUV方案雖然需要投入3萬美元的碳化矽(SiC)光罩護膜(Pellicle)等高額消耗品，
但憑藉著高良率與縮短20%至30%的生產週期，在每片合格晶圓的綜合成本上，反而比大陸被迫使用的DUV多重曝光方案節省15%至20%的支出
==
以版上大陸人的半導體知識水準，絕對看不懂這系列的內容在講甚麼

skyflyer
路人甲乙丙

Christmas Island
3647 Posts

Posted - 10/30/2026 : 23:14:55

你根本不懂芯片产业模式。
至于四重自对准曝光的saqp良率35到45这种笑话就不要拿出来了。但凡看看林本坚的发言和tsmc用saqp的7nm的良率呢？看看outel用saqp做的intel7呢？哪个台积电和intel技术高管说过saqp良率四成。各种媒体文盲胡赖赖你也信。
国产7nm和后续的5nm的saqp比euv贵一点，虽然掩膜用的多，但是euv高昂的价格、功耗、维护费用在那里摆着。
然后华为比起安卓厂商买高通的高毛利产品反而是便宜的。
以高通来说，毛利率是七成，也就是说晶圆制造成本只有三成。三成的制造成本里贵百分之十到十五算毛线约百分之五算个毛线。还不够安卓厂商给高通交的通信专利费--高通可是按照整机价格来收百分之二到百分之四的通信专利费。
然后海思可以接受低一点的毛利比如百分之五十卖给余大嘴--又不是美股上市每个季度的财报都要撑的好看。最后华为手机终端拿到的soc，比小米之流需要给高通上供的要便宜。这就是今年华为用畅享之类手机和安卓打价格战连连获胜的底气。

cph0516
我是老鳥

8459 Posts

Posted - 10/31/2026 : 09:17:18

還林本堅台積電把10多年前28奈米多重曝光
轉進EUV的3.5.7奈米.之後成本大大降低
利潤遠超當年使用DUV曝光技術利潤

成本大幅降低.產量更是激增
獲利率更從30%暴增到60%之高

滑萎.終腥
只能用累加成本超高的DUV多重曝光技術
導致利潤大減.可謂賠本賺吆喝

台積電2026年支出600億美金
晶圓訂單產能排到2年後.建廠更排到2030年去了
2026年上半年淨利
為新台幣1兆2,790億4,169萬元.快要整個終腥的資本

可是終腥的數十倍利潤
有支奴國各種利息.投資.各種補貼.政策優惠
投資更超過500.600億美金.半年卻只賺6億美金
獲利率慘到只有1%

終腥想要超過台積電
要不先拿出2兆美金看看.在買個100台EUV光刻機.蓋20座工廠看有沒有機會

天天妄想DUV.EUV.真是搞笑
連正式量產都沒看到的東西.就在那邊吹吹樂自爽

kmleu
路人甲乙丙

2547 Posts

Posted - 10/31/2026 : 10:02:21

#蓋廠好容易啊！EUV到手還還能有啥問題？
%曝光機先到晶圓廠還沒好？馬斯克 Terafab 首台 EUV 明年中交貨恐先閒置
https://money.udn.com/money/story/5599/9816091?dark_mode=1

#不是半導體知識問題而是基本商業運作原則
記憶體荒殺傷力太強！小米Q2淨利暴跌逾四成手機出貨驟減近三成
https://news.cnyes.com/news/id/6580660

skyflyer
路人甲乙丙

Christmas Island
3647 Posts

Posted - 10/31/2026 : 12:25:13

小米这种安卓厂商在存储器价格暴涨的时候受重伤是注定的。因为高通吃的太狠，没有毛利缓冲垫子。

反而菊花自有通信专利自行设计soc（含基带），即使晶圆制造费用因为使用saqp技术贵一点点，总体反而更便宜。

WingStar
路人甲乙丙

Taiwan
4570 Posts

Posted - 10/31/2026 : 13:09:02

大陸這些小粉紅以為念幾個農場文和幾篇報導就自認為很懂產業鏈，難怪怎麼寫文都飄散著一股無知和蠢的味道

https://dataintelo.com/report/global-computational-lithography-software-market
https://www.researchandmarkets.com/reports/6120876/computational-lithography-software-market?srsltid=AYCX9vIifa7qWHwN2xJr-CWc-_q_n7tj4LQ1oGG5v--x8p2yQE85BKTp
https://news.siemens.com/en-us/siemens-calibre-nvidia-culitho/
https://www.eenewseurope.com/en/siemens-and-nvidia-speed-up-ai-chip-lithography-by-12x/
https://www.sec.gov/Archives/edgar/data/1943289/000162828026054449/svco-20260630.htm
https://www.inventiva.co.in/trends/how-chinese-startup-seidas-ingenious-strategy-challenges-united-states-efforts-to-contain-chinas-chip-industry/

大陸在先進製程和成熟製程半導體光罩(Photomask)領域的自主替代正面臨巨大瓶頸，
其中以計算微影(Computational Lithography)與光學鄰近修正(Optical Proximity Correction，OPC)為核心的電子設計自動化(EDA)製造端軟體，
正陷於歐美技術全面制裁與生態系斷裂的結構性困境，在成熟和先進製程(特別是14nm以下)中，電路設計圖無法直接製作成光罩，必須完全仰賴計算微影軟體預先進行光學逆向幾何補償，
否則光線通過光罩時產生的繞射與失真，將導致晶圓成像完全失效

在核心市場格局與法規禁運層面，西方國家對大陸實施軟體限縮，根據半導體產經智庫DataIntelo關於全球計算微影軟體的市場研究報告顯示，該軟體市場呈現高度寡占，
新思科技(Synopsys)、楷登電子(Cadence)及艾司摩爾(ASML Brion)三大平台就聯手強勢割據全球72%至75%的市場營收，加上西門子EDA(Siemens EDA)的Calibre平台，
這四大廠商組成無法跨越的技術壁壘，根據美國SEC揭露的半導體合規申報文件證實，美國商務部將OPC業務與跨國轉移列為嚴格的出口管制限制(Export Controls)，
儘管大陸極力扶植如東方晶源或新創企業(如SEIDA試圖繞過管制)，但西方廠商只要全面中止軟體授權與技術更新，大陸半導體設計到光罩製造的軟體命脈便立刻面臨斷鏈

在底層物理模型的演算法技術層面，大陸國產替代正面臨物理參數與經驗數據雙重匱乏的孤島困境，傳統基於模型(Model-based)的OPC演算法，必須利用部分相干光成像理論，
將尖端曝光機內部的數值孔徑(NA)、波前像差、偏振光等複雜物理參數轉化為數學傳遞函數，然而，國際大廠將這些機台內部的動態光學物理參數(Process Recipes)與軟體進行封閉式整合，
國產OPC軟體在缺乏真實先進機台數據的反饋下，其演算法幾何矩陣卷積(Convolution)的求解極易陷入局部最佳解(Local Minima)，導致高密度電路區域的圖案邊界無法收斂，
此外，模型還必須通過成千上萬組來自一線成熟晶圓廠投片量產的實際量測數據(CD-SEM)進行校準，以模擬光阻形變的非線性特徵，大陸被排除在全球晶圓生態系之外，拿不到一線產線的真實製程數據，
導致大陸國產演算法模型精準度極差，在幾何修正後反而引發嚴重的電路橋接或斷路

當製程邁向7nm與3nm以下，傳統OPC已達到物理極限，必須轉向像素級逆向求解的反向微影技術(Inverse Lithography Technology，ILT)，
根據西門子EDA官方發布的技術進展以及EE News Europe的半導體技術報導指出，次世代全晶片(Full-chip)複雜彎曲曲線光罩(Curvilinear Mask)的ILT運算量呈現幾何級數暴增，
全球主流技術正全面導入NVIDIA cuLitho等GPU異構計算加速庫，達成12倍的運算加速，以解決全晶片優化的時程瓶頸，相較之下，大陸面臨雙重技術打擊，一是在非線性優化過程中，
國產演算法缺乏高效率的拓撲幾何優化架構，算出的幾何圖案經常觸犯光罩製造規則約束(MRC)，導致無法透過電子束寫入機實務製造，二是在高階運算GPU遭到全面斷供的夾擊下，
國產ILT軟體被迫在算力較弱的本土硬體上重構底層並行計算架構，導致大規模全晶片計算時通訊開銷極大、計算效率低下，這種缺乏軟硬體協同優化(DTCO)的硬傷，
使得大陸國產光罩計算軟體在商業化的高良率量產上，形成難以跨越的溝壑

kmleu
路人甲乙丙

2547 Posts

Posted - 10/31/2026 : 13:59:07

對外出海口被封，內需單機銷量與毛利又拉不上來，EUV就能解嗎？
靠補貼續命的日子還剩多久？中國製造芯片與內存頂不頂得上啊？

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